RD3P130SPFRATL Prezos (USD) [126181unidades de stock]
- 1 pcs$0.29313
- Número de peza:
- RD3P130SPFRATL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- RD3P130SPFRA IS A POWER MOSFET W.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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RD3P130SPFRATL Atributos do produto
Número de peza :
RD3P130SPFRATL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
RD3P130SPFRA IS A POWER MOSFET W
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2400pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
20W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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