Infineon Technologies - BSC600N25NS3GATMA1

KEY Part #: K6418482

BSC600N25NS3GATMA1 Prezos (USD) [65207unidades de stock]

  • 1 pcs$0.59963

Número de peza:
BSC600N25NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC600N25NS3GATMA1 Atributos do produto

Número de peza : BSC600N25NS3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 250V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 25A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2350pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TDSON-8
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN

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