Número de peza :
TK42A12N1,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
42A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.4 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
52nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3100pF @ 60V
Disipación de potencia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SIS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack