Número de peza :
SI1480DH-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
130pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363