Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6113(TE85L,F,M)

KEY Part #: K6421262

TPC6113(TE85L,F,M) Prezos (USD) [410451unidades de stock]

  • 1 pcs$0.09962
  • 3,000 pcs$0.09913

Número de peza:
TPC6113(TE85L,F,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 20V 5A VS6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113(TE85L,F,M) electronic components. TPC6113(TE85L,F,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC6113(TE85L,F,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPC6113(TE85L,F,M) Atributos do produto

Número de peza : TPC6113(TE85L,F,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Serie : U-MOSVI
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 690pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tamén pode estar interesado