Infineon Technologies - IRF5801TRPBF

KEY Part #: K6421330

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Número de peza:
IRF5801TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5801TRPBF Atributos do produto

Número de peza : IRF5801TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 600mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 88pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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