TPH3206PSB Prezos (USD) [9167unidades de stock]
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- 10 pcs$4.31930
- 100 pcs$3.55143
- 500 pcs$2.97552
- Número de peza:
- TPH3206PSB
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 16A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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TPH3206PSB Atributos do produto
Número de peza :
TPH3206PSB
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
720pF @ 480V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
81W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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