SIDR610DP-T1-GE3 Prezos (USD) [48704unidades de stock]
- 1 pcs$0.80281
- Número de peza:
- SIDR610DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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SIDR610DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIDR610DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1380pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SO-8
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