PSMN165-200K,518 Prezos (USD) [39unidades de stock]
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- Número de peza:
- PSMN165-200K,518
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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PSMN165-200K,518 Atributos do produto
Número de peza :
PSMN165-200K,518
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Serie :
TrenchMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1330pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.5W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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