IPU60R1K4C6AKMA1 Prezos (USD) [8811unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPU60R1K4C6AKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V TO-251-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IPU60R1K4C6AKMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPU60R1K4C6AKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Serie :
CoolMOS™ C6
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
200pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
28.4W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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