ON Semiconductor - NVMFS5C406NWFT1G

KEY Part #: K6418385

NVMFS5C406NWFT1G Prezos (USD) [61299unidades de stock]

  • 1 pcs$0.63786

Número de peza:
NVMFS5C406NWFT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
T6 40V SG NCH SO8FL HEFET.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C406NWFT1G Atributos do produto

Número de peza : NVMFS5C406NWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 52A (Ta), 353A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7288pF @ 20V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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