Número de peza :
TK5A65W,S5X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
380pF @ 300V
Disipación de potencia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220SIS
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack