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- Número de peza:
- IXTM67N10
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- POWER MOSFET TO-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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IXTM67N10 Atributos do produto
Número de peza :
IXTM67N10
Fabricante :
IXYS
Descrición :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
67A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-204AE
Paquete / Estuche :
TO-204AE
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