FDC658AP Prezos (USD) [501830unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDC658AP
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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FDC658AP Atributos do produto
Número de peza :
FDC658AP
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.1nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
470pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SuperSOT™-6
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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