IPAW60R180P7SXKSA1 Prezos (USD) [46297unidades de stock]
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- 1,000 pcs$0.38165
- Número de peza:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPAW60R180P7SXKSA1 electronic components. IPAW60R180P7SXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAW60R180P7SXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAW60R180P7SXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPAW60R180P7SXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Serie :
CoolMOS™ P7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 280µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1081pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
26W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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