DMN2025UFDF-13 Prezos (USD) [795452unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN2025UFDF-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2025UFDF-13 electronic components. DMN2025UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2025UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2025UFDF-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN2025UFDF-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
486pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN2020-6
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad
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