IRF100B202 Prezos (USD) [49481unidades de stock]
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- 10 pcs$0.67230
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- 500 pcs$0.41210
- 1,000 pcs$0.30775
- Número de peza:
- IRF100B202
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF100B202 Atributos do produto
Número de peza :
IRF100B202
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
97A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
116nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4476pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
221W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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