Texas Instruments - CSD19537Q3

KEY Part #: K6416709

CSD19537Q3 Prezos (USD) [185043unidades de stock]

  • 1 pcs$0.20089
  • 2,500 pcs$0.19989

Número de peza:
CSD19537Q3
Fabricante:
Texas Instruments
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Texas Instruments CSD19537Q3 electronic components. CSD19537Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19537Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19537Q3 Atributos do produto

Número de peza : CSD19537Q3
Fabricante : Texas Instruments
Descrición : MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Serie : NexFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 50A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1680pF @ 50V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-VSON (3.3x3.3)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN

Tamén pode estar interesado
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.