Número de peza :
IPB036N12N3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
211nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
13800pF @ 60V
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-7
Paquete / Estuche :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB