Infineon Technologies - IPB036N12N3GATMA1

KEY Part #: K6417072

IPB036N12N3GATMA1 Prezos (USD) [24475unidades de stock]

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Número de peza:
IPB036N12N3GATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB036N12N3GATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPB036N12N3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Serie : OptiMOS™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 120V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 211nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 13800pF @ 60V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO263-7
Paquete / Estuche : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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