RDN050N20FU6 Prezos (USD) [119180unidades de stock]
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- Número de peza:
- RDN050N20FU6
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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RDN050N20FU6 Atributos do produto
Número de peza :
RDN050N20FU6
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Serie :
-
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
720 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
292pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220FN
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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