Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8125,LQ(S

KEY Part #: K6405619

[1603unidades de stock]


    Número de peza:
    TPC8125,LQ(S
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8125,LQ(S Atributos do produto

    Número de peza : TPC8125,LQ(S
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
    Serie : U-MOSVI
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 64nC @ 10V
    Vgs (máximo) : +20V, -25V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2580pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1W (Ta)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOP
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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