Toshiba Semiconductor and Storage - TK20E60W,S1VX

KEY Part #: K6417033

TK20E60W,S1VX Prezos (USD) [23682unidades de stock]

  • 1 pcs$1.92380
  • 50 pcs$1.91422

Número de peza:
TK20E60W,S1VX
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W,S1VX electronic components. TK20E60W,S1VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK20E60W,S1VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20E60W,S1VX Atributos do produto

Número de peza : TK20E60W,S1VX
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Serie : DTMOSIV
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1680pF @ 300V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 165W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220
Paquete / Estuche : TO-220-3