Renesas Electronics America - RJL6012DPE-00#J3

KEY Part #: K6403928

[2188unidades de stock]


    Número de peza:
    RJL6012DPE-00#J3
    Fabricante:
    Renesas Electronics America
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Renesas Electronics America RJL6012DPE-00#J3 electronic components. RJL6012DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJL6012DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJL6012DPE-00#J3 Atributos do produto

    Número de peza : RJL6012DPE-00#J3
    Fabricante : Renesas Electronics America
    Descrición : MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 28nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±30V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1050pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 100W (Tc)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 4-LDPAK
    Paquete / Estuche : SC-83

    Tamén pode estar interesado
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.