STW25N60M2-EP Prezos (USD) [37938unidades de stock]
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- 600 pcs$1.03066
- Número de peza:
- STW25N60M2-EP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
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STW25N60M2-EP Atributos do produto
Número de peza :
STW25N60M2-EP
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Serie :
MDmesh™ M2-EP
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.75V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1090pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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