IPD30N06S4L23ATMA2 Prezos (USD) [305545unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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IPD30N06S4L23ATMA2 Atributos do produto
Número de peza :
IPD30N06S4L23ATMA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1560pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
36W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3-11
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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