IRL60B216 Prezos (USD) [21302unidades de stock]
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- 10 pcs$1.65659
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- 500 pcs$1.04349
- 1,000 pcs$0.88005
- Número de peza:
- IRL60B216
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 195A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - JFETs ...
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IRL60B216 Atributos do produto
Número de peza :
IRL60B216
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 195A
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
195A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
258nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
15570pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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