SIHP11N80E-GE3 Prezos (USD) [23918unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIHP11N80E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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SIHP11N80E-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIHP11N80E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Serie :
E
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1670pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
179W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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