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- Número de peza:
- IRFIZ24EPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFIZ24EPBF electronic components. IRFIZ24EPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIZ24EPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFIZ24EPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFIZ24EPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
71 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
370pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
29W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB Full-Pak
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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