Vishay Siliconix - 2N6661JAN02

KEY Part #: K6412505

[13421unidades de stock]


    Número de peza:
    2N6661JAN02
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N6661JAN02 Atributos do produto

    Número de peza : 2N6661JAN02
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 90V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 860mA (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 50pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-39
    Paquete / Estuche : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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