Número de peza :
TPH8R80ANH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2800pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN