Vishay Siliconix - SI4410BDY-T1-E3

KEY Part #: K6404522

SI4410BDY-T1-E3 Prezos (USD) [1982unidades de stock]

  • 2,500 pcs$0.11355

Número de peza:
SI4410BDY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4410BDY-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI4410BDY-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.4W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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