STMicroelectronics - STD6N80K5

KEY Part #: K6418901

STD6N80K5 Prezos (USD) [82107unidades de stock]

  • 1 pcs$0.47622
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Número de peza:
STD6N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD6N80K5 Atributos do produto

Número de peza : STD6N80K5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Serie : SuperMESH5™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
Vgs (máximo) : 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 255pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 85W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DPAK
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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