Número de peza :
SCT2H12NZGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
184pF @ 800V
Disipación de potencia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3PFM
Paquete / Estuche :
TO-3PFM, SC-93-3