IXYS - IXTH2R4N120P

KEY Part #: K6394939

IXTH2R4N120P Prezos (USD) [18102unidades de stock]

  • 1 pcs$2.63129
  • 30 pcs$2.61820

Número de peza:
IXTH2R4N120P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXTH2R4N120P electronic components. IXTH2R4N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH2R4N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH2R4N120P Atributos do produto

Número de peza : IXTH2R4N120P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Serie : Polar™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1207pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247 (IXTH)
Paquete / Estuche : TO-247-3