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- Número de peza:
- PMDPB38UNE,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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PMDPB38UNE,115 Atributos do produto
Número de peza :
PMDPB38UNE,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
268pF @ 10V
Potencia: máx :
510mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
DFN2020-6
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