SI4618DY-T1-GE3 Prezos (USD) [4056unidades de stock]
- 2,500 pcs$0.47187
- Número de peza:
- SI4618DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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SI4618DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SI4618DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1535pF @ 15V
Potencia: máx :
1.98W, 4.16W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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