BSG0810NDIATMA1 Prezos (USD) [83416unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSG0810NDIATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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BSG0810NDIATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSG0810NDIATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1040pF @ 12V
Potencia: máx :
2.5W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TISON-8
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