[13032unidades de stock]
- Número de peza:
- IRF5800TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5800TR electronic components. IRF5800TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5800TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5800TR Atributos do produto
Número de peza :
IRF5800TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
535pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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