GA50JT06-258 Prezos (USD) [140unidades de stock]
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- Número de peza:
- GA50JT06-258
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrición detallada:
- TRANS SJT 600V 100A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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GA50JT06-258 Atributos do produto
Número de peza :
GA50JT06-258
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrición :
TRANS SJT 600V 100A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
-
Tecnoloxía :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
769W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-258
Paquete / Estuche :
TO-258-3, TO-258AA
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