Vishay Siliconix - SIA413DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6417825

SIA413DJ-T1-GE3 Prezos (USD) [211203unidades de stock]

  • 1 pcs$0.17513
  • 3,000 pcs$0.16445

Número de peza:
SIA413DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 electronic components. SIA413DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA413DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA413DJ-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIA413DJ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 57nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1800pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche : PowerPAK® SC-70-6

Tamén pode estar interesado