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- Número de peza:
- GP1M009A090N
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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GP1M009A090N Atributos do produto
Número de peza :
GP1M009A090N
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrición :
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2324pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
312W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3PN
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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