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- Número de peza:
- SI2311DS-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 8V 3A SOT23.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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SI2311DS-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI2311DS-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
970pF @ 4V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
710mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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