IXYS - IXTK120N65X2

KEY Part #: K6398116

IXTK120N65X2 Prezos (USD) [5259unidades de stock]

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Número de peza:
IXTK120N65X2
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK120N65X2 Atributos do produto

Número de peza : IXTK120N65X2
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 13600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1250W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-264 (IXTK)
Paquete / Estuche : TO-264-3, TO-264AA

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