BSZ22DN20NS3GATMA1 Prezos (USD) [223826unidades de stock]
- 1 pcs$0.16525
- Número de peza:
- BSZ22DN20NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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BSZ22DN20NS3GATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSZ22DN20NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 13µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
430pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
34W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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