SISH410DN-T1-GE3 Prezos (USD) [183360unidades de stock]
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- Número de peza:
- SISH410DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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SISH410DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SISH410DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22A (Ta), 35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1600pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8SH
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