ON Semiconductor - FQB8N60CTM

KEY Part #: K6392737

FQB8N60CTM Prezos (USD) [82440unidades de stock]

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Número de peza:
FQB8N60CTM
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB8N60CTM Atributos do produto

Número de peza : FQB8N60CTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Serie : QFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1255pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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