Infineon Technologies - IRF7351PBF

KEY Part #: K6524160

IRF7351PBF Prezos (USD) [3924unidades de stock]

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Número de peza:
IRF7351PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7351PBF Atributos do produto

Número de peza : IRF7351PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1330pF @ 30V
Potencia: máx : 2W
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO