Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. EPC2105ENG

EPC - EPC2105ENG

KEY Part #: K6523724

[4069unidades de stock]

    Número de peza:
    EPC2105ENG
    Fabricante:
    EPC
    Descrición detallada:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in EPC EPC2105ENG electronic components. EPC2105ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2105ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2105ENG Atributos do produto

    Número de peza : EPC2105ENG
    Fabricante : EPC
    Descrición : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Serie : eGaN®
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Función FET : GaNFET (Gallium Nitride)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 80V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 9.5A, 38A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 300pF @ 40V
    Potencia: máx : -
    Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : Die
    Paquete de dispositivos de provedores : Die
    Tamén pode estar interesado
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Pezas quentes