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- Número de peza:
- IRLHS6376TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF electronic components. IRLHS6376TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6376TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6376TR2PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLHS6376TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
270pF @ 25V
Potencia: máx :
1.5W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores :
6-PQFN (2x2)
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