SCTH90N65G2V-7 Prezos (USD) [1983unidades de stock]
- 1 pcs$21.84043
- Número de peza:
- SCTH90N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 electronic components. SCTH90N65G2V-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTH90N65G2V-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCTH90N65G2V-7 Atributos do produto
Número de peza :
SCTH90N65G2V-7
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
90A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs (máximo) :
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3300pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
330W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
H2PAK-7
Paquete / Estuche :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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